RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1981, том 8, номер 5, страницы 1128–1131 (Mi qe7020)

Эта публикация цитируется в 2 статьях

Краткие сообщения

Полупроводниковый лазер с накачкой электронным пучком, работающий при низких ускоряющих напряжениях

О. В. Богданкевич, Н. А. Борисов, В. И. Бородулин, В. Ф. Певцов, В. И. Швейкин

Всесоюзный научно-исследовательский институт метрологической службы, Москва

Аннотация: Исследованы пороговые характеристики лазера с поперечной накачкой электронным пучком при ускоряющих напряжениях меньше 25 кВ. В качестве мишени использовались трехслойные гетероструктуры с тонким активным слоем, расположенным между двумя широкозонными слоями. Наименьшее значение пороговой энергии электронного пучка составляло 10 кэВ при T ≈ 90 K (при этом пороговая плотность тока jп = 0,45 А/см2) и 12 кэВ при T ≈ 300 K (jп ≈ 0,9 А/см2).

УДК: 621.375.826+621.315.59

PACS: 42.55.Px

Поступила в редакцию: 08.10.1980


 Англоязычная версия: Soviet Journal of Quantum Electronics, 1981, 11:5, 675–677

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024