RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1981, том 8, номер 6, страницы 1336–1338 (Mi qe7088)

Краткие сообщения

К вопросу о прогнозировании надежности гетеролазеров на основе Ga1–xAlxAs–GaAs

Н. П. Черноусов, К. И. Иноземцев, А. В. Борошнев


Аннотация: Исследована возможность прогнозирования срока службы гетеролазеров на основе Ga1–xAlxAs–GaAs по величине относительной интенсивности полосы излучения с энергией 1,0 эВ, измеряемой до эксплуатации приборов в спектре электролюминесценции. Показано, что корреляция между сроком службы гетеролазеров и интенсивностью полосы 1,0 эВ существует для временного интервала от единиц до нескольких тысяч часов.

УДК: 621.373.826.038.825.4

PACS: 42.55.Px

Поступила в редакцию: 11.11.1980


 Англоязычная версия: Soviet Journal of Quantum Electronics, 1981, 11:6, 802–803

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024