Аннотация:
Получен непрерывный режим генерации на $F_2^-$-центрах в кристлле LiF в области 1,14–1,2 мкм. При комнатной температуре мощность генерации составила 70 мВт с накачкой непрерывным АИГ: Nd-лазером ($\lambda$ = 1,06 мкм) мощностью 9 Вт. Обсуждается возможность увеличения эффективности этого лазера. В режиме с высокой частотой повторения импульсов генерации получена средняя мощность 120 мВт. При этом для накачки использовался АИГ:Nd-лазер с модуляцией добротности (частота следования импульсов 50 кГц, длительность 1 мкс, мощность в импульсе 70 Вт). Модуляция добротности осуществлялась пассивным затвором на основе $F_2^-$-центров в кристалле LiF.