RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1981, том 8, номер 6, страницы 1343–1345 (Mi qe7093)

Эта публикация цитируется в 6 статьях

Краткие сообщения

Непрерывный лазер на $F_2^-$-центрах в кристалле LiF

Ю. Л. Гусев, С. Н. Коноплин

Институт теплофизики СО АН СССР, Новосибирск

Аннотация: Получен непрерывный режим генерации на $F_2^-$-центрах в кристлле LiF в области 1,14–1,2 мкм. При комнатной температуре мощность генерации составила 70 мВт с накачкой непрерывным АИГ: Nd-лазером ($\lambda$ = 1,06 мкм) мощностью 9 Вт. Обсуждается возможность увеличения эффективности этого лазера. В режиме с высокой частотой повторения импульсов генерации получена средняя мощность 120 мВт. При этом для накачки использовался АИГ:Nd-лазер с модуляцией добротности (частота следования импульсов 50 кГц, длительность 1 мкс, мощность в импульсе 70 Вт). Модуляция добротности осуществлялась пассивным затвором на основе $F_2^-$-центров в кристалле LiF.

УДК: 621.375

PACS: 42.55.Rz

Поступила в редакцию: 27.11.1980


 Англоязычная версия: Soviet Journal of Quantum Electronics, 1981, 11:6, 808–809

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024