Регистрация параметров импульсного излучения с использованием фазового перехода полупроводник – металл в двуокиси ванадия

Исследуется возможность измерения площади сечения пучков S и энергии E импульсного излучения при использовании связанных с фазовым переходом полупроводник – металл в VO$_2$ фотоиндуцированных скачкообразных изменений электросопротивления Δρ и коэффициента пропускания света Δt. На основе измерения зависимости амплитуды и длительности импульсов фотоответа Δρ и Δτ от E и S проведен анализ формы этих двух импульсных откликов. Установлено, что измерения зависимостей амплитуд и времен спада импульсов Δρ и Δt могут быть использованы для одновременного определения S и E импульсного излучения.