Аннотация:
Экспериментально исследовано лазерно-стимулированное травление полупроводника AIIBVI в жидких Br2-содержащих травителях. Получены канавки прямоугольного профиля в CdxHg1 – xTe при скоростях сканирования до 1 см/с с пространственным разрешением ~5 мкм на глубину ~20 мкм. Показано, что кинетика травления определяется развитием термодиффузионной неустойчивости в слое травителя.