RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1990, том 17, номер 7, страницы 931–933 (Mi qe7117)

Эта публикация цитируется в 1 статье

Применение лазеров и другие вопросы квантовой электроники

Кинетика лазерно-стимулированного травления CdxHg1 – xTe

М. Р. Брук, Ф. В. Бункин, A. A. Лялин, Г. А. Шафеев

Институт общей физики АН СССР, Москва

Аннотация: Экспериментально исследовано лазерно-стимулированное травление полупроводника AIIBVI в жидких Br2-содержащих травителях. Получены канавки прямоугольного профиля в CdxHg1 – xTe при скоростях сканирования до 1 см/с с пространственным разрешением ~5 мкм на глубину ~20 мкм. Показано, что кинетика травления определяется развитием термодиффузионной неустойчивости в слое травителя.

УДК: 620.179.111.5:621.373.826

PACS: 79.20.Ds, 81.65.Cf, 66.10.Cb

Поступила в редакцию: 05.04.1989


 Англоязычная версия: Soviet Journal of Quantum Electronics, 1990, 20:7, 854–856

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024