RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1981, том 8, номер 6, страницы 1376–1377 (Mi qe7125)

Эта публикация цитируется в 3 статьях

Краткие сообщения

Генерация на $(F_2^+)_A$-центрах окраски в кристалле NaF

Ю. Л. Гусев, А. В. Кирпичников, С. Н. Коноплин, С. И. Маренников

Институт теплофизики СО АН СССР, Новосибирск

Аннотация: Сообщается о создании перестраиваемого лазера на $(F_2^+)_A$-центрах в кристалле NaF с накачкой рубиновым лазером, имеющего следующие параметры: область перестройки 0,95–1,3 мкм, порог 400 кВт/см$^2$, КПД 15%, выходную мощность 1 МВт. Обнаружено, что $(F_2^+)_A$-центры при комнатной температуре обладают высокой стабильностью. Исследован процесс преобразования $(F_2^+)_A$-центров под действием мощного излучения накачки и установлено существование стабильной компоненты этих центров.

УДК: 621.375

PACS: 42.55.Rz

Поступила в редакцию: 27.11.1980


 Англоязычная версия: Soviet Journal of Quantum Electronics, 1981, 11:6, 833–834

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024