Т. Т. Басиев, Б. В. Ершов, С. Б. Кравцов, С. Б. Миров, В. А. Спиридонов, В. Б. Федоров, “Лазер на центрах окраски в кристалле LiF с выходной энергией 100 Дж”, Квантовая электроника, 12:6 (1985), 1125

Эта публикация цитируется в 7 статьях

Письма в редакцию

Лазер на центрах окраски в кристалле LiF с выходной энергией 100 Дж

Т. Т. Басиев, Б. В. Ершов, С. Б. Кравцов, С. Б. Миров, В. А. Спиридонов, В. Б. Федоров

Институт общей физики АН СССР, Москва

Аннотация: Описан лазер на центрах окраски в кристалле LiF большого объема с поперечной схемой накачки неодимовым лазером. Проведено измерение энергетических характеристик излучения в диапазоне 1,12–1,16 мкм. Измерено преобразование энергии накачки в полезное излучение для различных образцов кристаллов LiF:F₂^–.

УДК: 621.373.826.038.825.2

PACS: 42.55.Rz, 42.60.By, 42.60.Lh, 42.70.Hj, 42.60.Da

Поступила в редакцию: 07.02.1985