RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1985, том 12, номер 6, страницы 1261–1269 (Mi qe7161)

Эта публикация цитируется в 1 статье

Исследование лазера на парах стронция

В. Е. Прокопьев, В. И. Соломонов

Институт оптики атмосферы СО АН СССР, Томск

Аннотация: В газоразрядных трубках диаметром 5 и 10 мм экспериментально исследовался временной ход интенсивности спонтанных линий атома и иона стронция в Не–Sr-плазме. Обнаружен спад интенсивности интеркомбинационной линии атома (λ = 689,3 нм) к моменту достижения максимума тока. Методом поглощения измерялся временной ход населенности метаcтабильного уровня 4d2D5/2Sr+, являющегося нижним лазерным уровнем самоограниченного перехода λ = 1033 нм. В зависимости от давления гелия pHe обнаружено три постоянных времени его распада. Показано, что распад населенности метастабильного уровня осуществляется в основном за счет столкновений с электронами, причем быстрый спад населенности с τ1 = 1 – 10 мкс связан с релаксацией температуры электронов, а медленный (τ2 = 10–80 мкс) – с рекомбинацией плазмы. При малых pHe < 1,5 кПа основную роль в процессе распада населенности уровня 4d2D5/2Sr+ играет амбиполярная диффузия. Минимальное время задержки, при котором возникает генерация на λ = 1033 нм во втором импульсе возбуждения, совпадает со временем окончания быстрого спада населенности уровня 4d2D5/2Sr+, а влияние первого импульса возбуждения на второй исчезает через τ2.

УДК: 621.373.826.038.823

PACS: 42.55.Lt, 42.60.Jf, 52.50.Jm

Поступила в редакцию: 10.07.1984


 Англоязычная версия: Soviet Journal of Quantum Electronics, 1985, 15:6, 832–837

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024