RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1985, том 12, номер 6, страницы 1295–1297 (Mi qe7173)

Эта публикация цитируется в 3 статьях

Краткие сообщения

Малоинерционный неохлаждаемый приемник импульсного лазерного излучения

В. И. Андреев, А. Б. Грановский, В. А. Яковлев

Всесоюзный научно-исследовательский институт оптико-физических измерений, Москва

Аннотация: При наклонном осаждении испаряемого из тигля Bi и Bi—Sb на подложки из стекла и монокристаллического кремния получены текстурированные пленки с анизотропией термо-ЭДС. Исследованы основные параметры приемников ИК излучения на основе этих пленок. Показано, что разработанные приемники на пленках Bi и Bi–Sb толщиной ~0,2 мкм на подложках из кремния передают временную структуру излучения CO2-лазеров с быстродействием ~10 нс, обладают коэффициентом преобразования не менее 20 мкВ/Вт, электросопротивлением 50–100 Ом, зонной неоднородностью менее 10 %, нечувствительны к поляризации излучения.

УДК: 535.231.2:621.362

PACS: 85.60.Gz, 07.57.Kp, 42.55.Lt, 42.79.Wc, 68.55.Jk

Поступила в редакцию: 01.08.1984


 Англоязычная версия: Soviet Journal of Quantum Electronics, 1985, 15:6, 857–858

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024