Аннотация:
Исследован механизм образования короткоживущего поглощения в лазерных кристаллах из АИГ под воздействием УФ части излучения накачки. Показано, что процесс образования короткоживущего поглощения в кристаллах протекает с участием ионов двухвалентного железа.
УДК:
621.373.826.038.825.2
PACS:42.70.Hj, 78.20.Ci, 42.55.Rz, 42.60.Jf
Поступила в редакцию: 02.08.1984 Исправленный вариант: 19.11.1984