Использование селективности растворения пленок халькогенидных стеклообразных полупроводников для формирования пассивных элементов интегральной оптики

Исследовано влияние формы профиля стехиометрии пленок системы As–S на динамику их растворения в щелочном травителе. Показано, что поверхностные изменения стехиометрии в экспонированных пленках системы As–S влияют на скорость растворения пленок ХСП. Рассмотрены динамика растворения ХСП пленок с заданными профилями стехиометрии и способы формирования решетчатых структур с высокой дифракционной эффективностью.