RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1985, том 12, номер 6, страницы 1307–1309 (Mi qe7178)

Краткие сообщения

Влияние избыточного давления серы при выращивании кристаллов CdS на характеристики лазеров, возбуждаемых электронным пучком

И. В. Акимова, Т. И. Березина, А. Н. Печенов, В. И. Решетов, Л. Е. Решетова, П. В. Шапкин

Физический институт им. П. Н. Лебедева АН СССР, Москва

Аннотация: Исследовано влияние избыточного парциального давления серы в диапазоне 10–3– 2·102 мм рт. ст. на спектры низкотемпературной фотолюминесценции, а также на порог генерации и дифференциальную эффективность лазеров, возбуждаемых электронным пучком. Наилучшие лазерные характеристики, в том числе деградационная стойкость, были получены в диапазоне давлений серы 1–10 мм рт. ст.

УДК: 621.373.826.038.825.4

PACS: 42.55.Rz, 42.70.Mp, 78.55.Hx, 42.60.Lh, 81.10.Bk

Поступила в редакцию: 04.10.1984
Исправленный вариант: 10.12.1984


 Англоязычная версия: Soviet Journal of Quantum Electronics, 1985, 15:6, 867–868

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024