RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1985, том 12, номер 6, страницы 1316–1317 (Mi qe7182)

Эта публикация цитируется в 1 статье

Краткие сообщения

Оптическое усиление (InGa)AsP-гетероструктуры в спектральном диапазоне 1,3 мкм

М. Г. Васильев, И. С. Голдобин, Ю. В. Курнявко, В. П. Табунов, Ю. А. Тамбиев, Ю. Ф. Федоров, С. Д. Якубович

Всесоюзный научно-исследовательский институт оптико-физических измерений, Москва

Аннотация: Проведено измерение спектральной зависимости коэффициента оптического усиления инжектируемой двойной гетероструктуры (ДГС) с полосковым активным волноводом из (InGa)AsP. Максимум усиления при комнатной температуре находится на длине волны 1,28 мкм. Насыщение усиления суперлюминесцентным излучением при длине волновода 1,2 мм достигалось при плотности тока инжекции 1,3–104 А/см2. Найдено, что однопроходное усиление достигает 27 дБ.

УДК: 621.373.826.038.825.4

PACS: 42.55.Px, 42.60.Lh, 42.60.Da

Поступила в редакцию: 29.05.1984


 Англоязычная версия: Soviet Journal of Quantum Electronics, 1985, 15:6, 874–875

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024