Излучательные и деградационные характеристики гетероструктур на основе InGaAsP/InP

Изучены двойные гетероструктуры, изготовленные методом жидкофазной эпитаксии, излучающие на длине волны в диапазоне 1,06–1,6 мкм. Максимальные значения внешней эффективности достигали 10 % на длине волны 1,06 мкм и 5 % на 1,3 мкм. Изучена однородность картины свечения путем визуализации ближней зоны с помощью ИК телевизионного микроскопа, выявлены темные пятна, сопровождающие старение структуры. Показано, что дефекты облучения при определенной дозе стабилизируют мощность излучения гетероструктур в ходе длительной наработки. Ускоренные ресурсные испытания дают оценку безотказной наработки не менее 60–100 тыс. ч.