Анализ мод, направляемых усилением, в активных полупроводниковых волноводах

Для симметричного и несимметричного профилей показателя преломления в плоскости p–n-перехода (модель слоя Эпштейна) введен параметр активного полупроводникового волновода – комплексная приведенная ширина, в зависимости от действительной и мнимой частей которого табулированы в виде трехмерных графиков параметры диаграммы направленности излучения таких волноводов и выражены коэффициенты связи мод в модели, описывающей неоднородный по длине гетеролазер в виде двух (или нескольких) состыкованных активных волноводов. Дано сравнение с выходными характеристиками планарных полосковых гетеролазеров без бокового оптического ограничения.