Влияние анизотропной деформации на излучательные свойства инжекционных лазеров на основе GalnAsP/InP. I. Порог генерации, поляризация и ватт-амперная характеристика

Изучена взаимосвязь излучательных характеристик лазеров на GalnAsP/InP (λ ~1,08–1,61 мкм, 300 K) с анизотропной деформацией активного слоя, которая возникает вследствие либо внешнего сжатия, либо рассогласования периодов решетки в гетеропереходах. Деформацию можно оценить с погрешностью ±10 % из анализа спектров степени линейной поляризации спонтанного излучения. При полном согласовании периодов решеток температурный параметр T₀ и дифференциальная эффективность проходят через минимум, пороговая плотность тока – через максимум и, следовательно, оптимизацией напряженного состояния активного слоя можно улучшить излучательные характеристики лазерных диодов. Отклонения относительного несоответствия решеток в лазерных гетероструктурах приводят к разбросу излучательных характеристик в силу их чувствительности к уровню внутренних остаточных напряжений.