А. А. Лагатский, Н. В. Кулешов, В. Г. Щербицкий, В. Ф. Клепцын, В. П. Михайлов, В. Г. Остроумов, Г. Хубер, “Генерационные характеристики кристалла CaGdAlO4:Nd3+ при диодной накачке”, Квантовая электроника, 24:1 (1997), 17

Эта публикация цитируется в 31 статьях

Лазеры

Генерационные характеристики кристалла CaGdAlO₄:Nd³⁺ при диодной накачке

А. А. Лагатский^a, Н. В. Кулешов^a, В. Г. Щербицкий^a, В. Ф. Клепцын^a, В. П. Михайлов^a, В. Г. Остроумов^b, Г. Хубер^b

^a Международный лазерный центр при Белорусском национальном техническом университете, г. Минск
^b The University of Hamburg, Germany

Аннотация: Исследован новый лазерный кристалл CaGdAlO₄, активированный ионами Nd³⁺. Кристалл был выращен методом Чохральского, атомная концентрация Nd³⁺ в расплаве составляла 2%. Проведен анализ спектров поглощения и люминесценции, представлена штарковская структура верхнего и нижнего лазерных уровней. Время жизни верхнего уровня составило ~140 мкс. Сечение стимулированного излучения на длине волны 1078 нм было равно 1.1·10^–19 см² для поляризации E || c. В качестве источника накачки использовался GaAlAs-диод мощностью 3 Вт, излучающий на длине волны 806.5 нм. Эффективность генерации на длине волны 1078 нм составила 37% при использовании выходного зеркала с пропусканием 5%. Выходная мощность лазерного излучения равнялась 360 мВт при поглощенной мощности накачки 1.29 Вт.

PACS: 42.55.Rz, 42.55.Xi, 42.70.Hj

Поступила в редакцию: 26.04.1996