RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1990, том 17, номер 8, страницы 1006–1007 (Mi qe7305)

Активные среды

Расчет усиления на переходе 4–3 иона Al XIII в разлетающейся лазерной плазме цилиндрической геометрии при ультракоротких импульсах накачки

А. В. Гулов, В. И. Держиев, А. Г. Жидков, А. Г. Притула, С. И. Яковленко

Институт общей физики АН СССР, Москва

Аннотация: В рекомбинирующей лазерной плазме, образованной УКИ излучения на поверхности тонких волокон, получены коэффициенты усиления на переходе 4–3 иона Al XIII 5–7 см– 1. Возможная длина усиления ограничивается малым (~0,1 нс) временем существования инверсии.

УДК: 621.373.826 533.9

PACS: 52.50.Jm, 42.65.Re, 42.60.Lh

Поступила в редакцию: 19.01.1990


 Англоязычная версия: Soviet Journal of Quantum Electronics, 1990, 20:8, 921–923

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024