Коммутатор на GaAs(Cr) с лазерным поджигом

Испытан коммутатор на GaAs(Cr), работающий при комнатной температуре контакты которого наносились на боковые поверхности вплавлением индия в водороде при температуре 400 °C. Промежуток между контактами составлял 3–10 мм. Образцы облучались лазером на иттриево-алюминиевом гранате с самосинхронизацией мод на двух длинах волн (0,53 и 1,06 мкм). Получены импульсы амплитудой 1,5 кВ с длительностью фронта не более 500 пс при длине волны поджигающего излучения 1,06 мкм. Показано, что лазерное излучение с λ = 1,06 мкм предпочтительнее для эффективной работы коммутатора, чем излучение с λ = 0,53 мкм.