RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1990, том 17, номер 8, страницы 1035–1038 (Mi qe7327)

Воздействие лазерного излучения на вещество

Фотоиндуцированное поглощение в халькогенидных стеклах

В. В. Пономарь

Институт прикладной физики АН МССР, Кишинев

Аннотация: В халькогенидных стеклах обнаружена зависимость коэффициента поглощения от интенсивности оптического излучения в диапазоне интенсивностей 10 – 5 – 1 Вт/см2 при энергии квантов меньше ширины запрещенной зоны материала. Показано, что коэффициент поглощения зависит от времени воздействия. В сульфиде мышьяка в области 1,6–1,7 эВ при интенсивностях порядка 10– 3 Вт/см2 обнаружен пик поглощения. Механизм поглощения в данной области спектра, вероятно, обусловлен поглощением на метастабильных «дефектных» связях As–As, S–S и Se–Se и аналогичен фотоиндуцированной деградации в гидрогенизированном аморфном кремнии.

УДК: 621.373.826

PACS: 61.80.Ba, 78.20.Ci, 61.82.Fk

Поступила в редакцию: 15.11.1989


 Англоязычная версия: Soviet Journal of Quantum Electronics, 1990, 20:8, 951–953

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024