RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1990, том 17, номер 8, страницы 1054–1058 (Mi qe7331)

Воздействие лазерного излучения на вещество

Функция распределения микровключений в ПММА и ее эволюция при воздействии серии лазерных импульсов

Г. Я. Глауберман, С. Ю. Саванин, В. В. Шкунов, Д. Е. Шумов

Институт прикладной механики АН СССР, Москва

Аннотация: Предложен новый метод построения на основе экспериментальных данных функции распределения по порогам пробоя поглощающих микровключений в прозрачном диэлектрике. Получены формулы, описывающие эволюцию этой функции в ходе облучения материала лазерными импульсами с постоянной плотностью энергии. Предложенная методика реализована для расчета функции распределения микровключений в полиметилметакрилате, а также ее эволюции.

УДК: 621.373.826:537.226.7

PACS: 61.80.Ba, 61.82.Ms, 42.60.Jf

Поступила в редакцию: 07.08.1989


 Англоязычная версия: Soviet Journal of Quantum Electronics, 1990, 20:8, 969–973

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024