RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1986, том 13, номер 9, страницы 1828–1836 (Mi qe7372)

Моделирование активной среды эксиплексного лазера на основе гидрида аргона

Ф. В. Бункин, В. И. Держиев, В. А. Юровский, С. И. Яковленко

Институт общей физики АН СССР, Москва

Аннотация: Построена модель плазмохимических реакций в смеси Ar–H2 и проведены численные расчеты активной среды эксиплексного лазера на ее основе в режимах усиления слабого сигнала и генерации. Показана возможность создания лазера с КПД ~7 % при плотности аргона ~1020 см–3, водорода ~1018 см–3 при накачке пучком электронов с плотностью тока ~250 А/см2 или протонов с плотностью тока ~2 А/см2 при энергии частиц ~300 кэВ. Характеристики активной среды могут улучшаться при нагреве смеси до температуры ~150°C; использование гелиевого буфера не приводит к их улучшению.

УДК: 621.373.826.038.823

PACS: 42.55.Lt, 42.60.Lh, 42.60.Jf, 52.25.-b, 82.33.Xj

Поступила в редакцию: 13.06.1985


 Англоязычная версия: Soviet Journal of Quantum Electronics, 1986, 16:9, 1201–1206

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024