RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1990, том 17, номер 8, страницы 1088–1090 (Mi qe7393)

Эта публикация цитируется в 3 статьях

Применения лазеров и другие вопросы квантовой электроники

Влияние лазерного отпуска на характеристики поверхностного слоя инструментальных сталей

Д. М. Гуреев, С. И. Медников, В. К. Шухостанов, С. В. Ямщиков

Куйбышевский филиал Физического института им. П. Н. Лебедева АН СССР

Аннотация: Изучена кинетика распада мартенсита и остаточного аустенита при лазерном отпуске исходных структур и зон лазерной закалки в углеродистой стали У 8 и легированных сталях ХВГ, 9ХС, XI2М с различным исходным структурно-фазовым составом. Установлена избирательность лазерного отпуска, что позволяет использовать его для выявления степени развития структурно-фазовых превращений в сталях, ведущих к изменению характеристик поверхностного слоя. Показано, что лазерный отпуск в сочетании с лазерной закалкой существенно влияет на формирование остаточных напряжений в зоне лазерного воздействия и с этой точки зрения может быть эффективно использован в решении проблемы образования трещин при лазерном термоупрочнении поверхности.

УДК: 669.14.018.252.3:621.373.826:621.78

PACS: 61.80.Ba, 61.82.Bg, 81.65.Lp, 42.62.Cf

Поступила в редакцию: 26.12.1989


 Англоязычная версия: Soviet Journal of Quantum Electronics, 1990, 20:8, 1003–1006

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024