Эффект накопления в нестационарном электронном ВКР при накачке цугом УКИ

Исследованы особенности эффекта накопления (ЭН) в нестационарном электронном ВКР в парах атомов бария при накачке последовательностью УКИ с регулируемой между импульсами задержкой. Суть ЭН в том, что в энергию стоксова импульса вносят вклад не только возбуждающий его "свой" импульс накачки, но и предыдущие импульсы накачки, влияние которых существенно зависит от соотношения времени поперечной релаксации T₂ и интервала между импульсами. Для наблюдения ЭН в электронном ВКР важно свести к минимуму влияние истощения числа атомов. На основе ЭН разработана методика определения T₂ за одну лазерную вспышку.