Поглощение излучения СО2-лазера на фотовозбужденных носителях в кристалле германия

Экспериментально исследовано и рассчитано поглощение излучения СО₂-лазера в кристалле германия, возбуждаемом импульсом излучения Nd-лазера. Аналитически получена зависимость коэффициента пропускания полупроводника в области его прозрачности от интенсивности возбуждающего излучения. Показано, что она хорошо согласуется с экспериментальными данными, полученными для кристалла германия в рассмотренном практически важном диапазоне изменений интенсивности фотовозбуждения. Достижение высокого уровня концентраций свободных носителей в фотовозбужденном германии свидетельствует о перспективности применения данного материала в модуляторах излучения СО₂-лазера.