Аннотация:
С помощью внешних диэлектрических пластин с гофром осуществлена брэгговская селекция частоты в полупроводниковом лазере дальнего ИК диапазона на горячих дырках p-Ge. Это позволяет получать различные заданные частоты генерации на одном и том же активном элементе.