RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1996, том 23, номер 8, страницы 675–676 (Mi qe747)

Эта публикация цитируется в 22 статьях

Письма в редакцию

Высококогерентный инжекционный лазер с оптической обратной связью через микрорезонатор с модами типа «шепчущей галереи»

В. В. Васильевa, В. Л. Величанскийa, М. Л. Городецкийb, В. С. Ильченкоb, Л. Хольбергc, А. В. Яровицкийa

a Физический институт им. П. Н. Лебедева РАН, г. Москва
b Московский государственный университет им. М. В. Ломоносова
c National Institute of Standards and Technology, National Institute of Standards and Technology, Boulder, USA

Аннотация: Реализовано сужение линии генерации инжекционного лазера с помощью внешнего высокодобротного микрорезонатора, представляющего собой кварцевый шарик диаметром 370 мкм. Ввод-вывод излучения и согласование с модой типа «шепчущей галереи» шарика осуществлялись методом нарушенного полного внутреннего отражения, а оптическая обратная связь формировалась за счет релеевского рассеяния. Ширина спектров биений исследуемого и опорного лазеров не превышала 100 кГц.

PACS: 42.55.Px, 42.60.Jf

Поступила в редакцию: 01.01.1996


 Англоязычная версия: Quantum Electronics, 1996, 26:8, 657–658

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024