RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1990, том 17, номер 11, страницы 1390–1394 (Mi qe7474)

Эта публикация цитируется в 2 статьях

Лазеры

Влияние неоднородности электрического поля и предыонизации на пространственно-временную динамику разряда и излучения в XeCl-лазере

В. М. Багинскийab, Н. С. Белокриницкийab, П. М. Головинскийab, А. Н. Панченкоab, В. Ф. Тарасенкоab, А. И. Щедринab

a Институт физики АН УССР, Киев
b Институт сильноточной электроники СО АН СССР, Томск

Аннотация: С учетом расширенной схемы плазмохимических реакций и различного компонентного состава смеси теоретически проанализированы процессы в плазме XeCl-лазеров на смеси He–Xe–HCl в условиях неоднородного электрического поля и предыонизации. Экспериментально исследовано влияние концентрации галогеноносителя, параметров разрядного контура и профиля электродов на распределение мощности излучения по сечению выходного луча. Показано, что при большом радиусе кривизны электродов (слабая неоднородность поля) разряд стягивается либо к оси, либо к краям электродов в зависимости от начальной концентрации галогеноносителя; неоднородность начальной ионизации ~5–10 % (в зависимости от исходной неоднородности поля) при ее интенсивности Q≈1016 см – 3 · с – 1 влияет на распределение тока по сечению электрода во время импульса накачки; при увеличении длительности импульса накачки наблюдается локализация плотности тока разряда на периферии электродов; мощность излучения из отдельных областей лазерного луча оказывается промодулированной по амплитуде с глубиной модуляции до 15% (увеличивается с уменьшением давления и увеличением напряжения) и периодом, равным двойному времени пробега излучения в резонаторе. Даны практические рекомендации для получения однородных профилей разряда и излучения.

УДК: 621.373.826.038.823

PACS: 42.55.Lt, 42.60.Jf, 42.60.Da, 52.25.Jm, 82.33.Xj

Поступила в редакцию: 03.10.1989


 Англоязычная версия: Soviet Journal of Quantum Electronics, 1990, 20:11, 1298–1302

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024