Ленинградский физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе АН СССР
Аннотация:
Дана оценка максимальной выходной мощности полупроводникового инжекционного лазера на единицу ширины активной полоски P cW. Предполагается, что она ограничена оптической прочностью зеркал. Рассмотрены варианты гетероструктур с одной или несколькими квантово-размерными слоями GaAs в расширенной полости AlGaAs. Показано, что для получения максимальной плотности излучения (P cW ~2·103 Вт/см) оптимальной является структура с небольшим (1–3) числом ям, расположенных в центре волновода с шириной ~3 мкм. При этом предельная плотность тока, по достижении которой произойдет катастрофическое разрушение зеркал,
составляет ~10 кА/см2.
УДК:
621.373.826.038.825.4
PACS:42.55.Px, 42.60.Jf, 42.79.Bh
Поступила в редакцию: 08.12.1989 Исправленный вариант: 18.04.1990