RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1986, том 13, номер 9, страницы 1785–1793 (Mi qe7494)

Изучение фоточувствительных свойств инжекционного лазера методом эффективного коэффициента усиления

Н. П. Бежан, Д. В. Гицу, М. Б. Иванов, И. П. Молодян, В. В. Попушой, А. В. Сырбу

Кишиневский политехнический институт им. С. Лазо

Аннотация: Приведены результаты теоретического анализа воздействия внешнего излучения на электрические характеристики инжекционного лазера. Основой для расчетов послужила модель лазера с квазиоднородным характером поведения линии усиления. При расчетах введен некоторый эффективный коэффициент усиления, учитывающий резонансный характер усиления и позволяющий распространить решения простых балансных уравнений для безмодового случая, на весь спектр продольных мод. Определена величина фотоэлектрического сигнала в усилительном и лазерном режимах. Обсуждается токовая эволюция спектра фоточувствительности и показана возможность выделения одной узкополосной линии чувствительности (явление сверхселективности) с шириной ~1 ГГц. Рассчитан пороговый ток режима сверхселективности и предложены некоторые методики определения параметров лазерных структур.

УДК: 621.373.826.038.825.4

PACS: 42.55.Px, 42.60.Lh, 42.60.Jf

Поступила в редакцию: 28.05.1985
Исправленный вариант: 11.03.1986


 Англоязычная версия: Soviet Journal of Quantum Electronics, 1986, 16:9, 1174–1179

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024