RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1990, том 17, номер 11, страницы 1418–1423 (Mi qe7496)

Эта публикация цитируется в 2 статьях

Лазеры

Механизмы генерации газоразрядного неон-водородного лазера на λ = 585,3 нм

Е. Л. Латуш, М. Ф. Сэм, Г. Д. Чеботарев

Ростовский государственный университет, Ростов-на-Дону

Аннотация: Исследованы механизмы импульсной генерации на переходе 585,3 нм Nel в смеси Ne–H2 в разряде с полым катодом и в продольном разряде. Установлено, что генерация в послесвечении обоих типов разряда обусловлена накачкой верхнего рабочего уровня в основном за счет тройной рекомбинации ионов неона, а генерация во время импульса тока в разряде с полым катодом – накачкой электронным ударом. Показано, что в продольном разряде при больших токах рекомбинационная неравновесность может сформироваться еще при протекании тока, в этом случае генерация во время импульса тока обусловлена рекомбинационной накачкой. Установлен селективный характер очистки нижнего рабочего уровня за счет реакции Пеннинга на водороде. Выявлено существенное влияние неупругих соударений с электронами на временные характеристики генерации в рекомбинирующей плазме.

УДК: 621.373.826.038.823

PACS: 42.55.Lt, 42.60.Jf, 52.80.Sm

Поступила в редакцию: 26.01.1990


 Англоязычная версия: Soviet Journal of Quantum Electronics, 1990, 20:11, 1327–1331

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024