RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1990, том 17, номер 11, страницы 1424–1425 (Mi qe7499)

Эта публикация цитируется в 1 статье

Лазеры

Влияние электронной температуры на характеристики Не–Cd-лазера, возбуждаемого импульсным пучком электронов

С. В. Макаров, Ю. Н. Новоселов

Институт электрофизики Уральского отделения АН СССР, Свердловск

Аннотация: Численно исследованы временные и энергетические характеристики излучения He–Cd-лазера высокого давления, возбуждаемого микросекундным пучком электронов, на длинах волн 441,6 и 537,8 нм. Обнаружено, что эффективность генерации лазера на линии 537,8 нм зависит от длительности накачки, повышаясь при ее сокращении. Предложен способ увеличения мощности лазера при длительных импульсах накачки, заключающийся в повышении температуры электронов He–Cd-плазмы с помощью внешнего электрического поля. Определена оптимальная напряженность поля. Показана возможность осуществления модуляции мощности генерируемого излучения с помощью импульсного подключения поля.

УДК: 621.373.826.038.823

PACS: 42.55.Lt, 42.60.Jf, 42.60.Lh

Поступила в редакцию: 19.01.1990


 Англоязычная версия: Soviet Journal of Quantum Electronics, 1990, 20:11, 1332–1333

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024