RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1996, том 23, номер 8, страницы 715–718 (Mi qe758)

Эта публикация цитируется в 2 статьях

Воздействие лазерного излучения на вещество. Лазерная плазма

Лазерное плавление ВТСП-керамики на основе Bi(2223)

А. Л. Михайличенкоa, Г. Н. Михайловаa, A. М. Прохоровa, А. С. Сеферовa, А. В. Троицкийa, А. О. Медниковa, Б. П. Михайловb, Г. С. Бурхановb, И. Е. Лапшинаc

a Институт общей физики им. А. М. Прохорова РАН, г. Москва
b Институт металлургии и материаловедения им. А. А. Байкова РАН
c Государственный институт редких металлов, г. Москва

Аннотация: Показано, что кратковременное плавление ВТСП-керамики с использованием излучения СО2-лазера в сочетании с непродолжительной термообработкой приводит к образованию более плотной мелкозернистой структуры (размер зерен 2 — 3 мкм) как в исходной керамике Bi(2223), так и в легированном материале. Структура полученного типа способствует заметному повышению критического тока сверхпроводника.

PACS: 42.62.Hk, 64.70.Dv, 74.72.Hs, 74.60.Jg

Поступила в редакцию: 01.01.1996


 Англоязычная версия: Quantum Electronics, 1996, 26:8, 696–699

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024