Изменение коэффициента отражения ВТСП-керамики NdCeCuO в видимой области спектра при воздействии импульса ИК излучения

На базе IBM PC/XT разработана автоматизированная методика измерения временного хода отражения высокотемпературной сверхпроводящей керамики Nd_1.85Ce_0.15CuO_4–y при комнатной температуре в области фокального пятна лазерного облучения. Для возбуждения использовался электрогазодинамический лазер с излучением в области длин волн 16 – 18 мкм c радиусом пятна ~0.5 мм, длительностью импульса ~0.12 с, мощностью ~1 Вт. Измерение проводилось с помощью He — Ne-лазера, линейно поляризованный свет которого отражался под углом Брюстера от керамики в центре пятна излучения лазера накачки. За время ИК импульса отражение обратимо возрастало на ~4.5%. Из сравнения с измеренным относительным изменением отражения этой же керамики при нагреве до 300°С оценена температура нагрева образца в фокусе лазерного пятна. Рост температуры в течение одного импульса составил ~50°С, что согласуется с расчетом нагрева.