RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1996, том 23, номер 8, страницы 729–736 (Mi qe761)

Эта публикация цитируется в 14 статьях

Воздействие лазерного излучения на вещество. Лазерная плазма

Закономерности и механизм эффекта накопления в условиях многофотонной генерации центров окраски

О. Н. Босый, О. М. Ефимов

Научно-исследовательский институт комплексных испытаний оптико-электронных приборов и систем, г. Сосновый Бор, Ленинградская обл.

Аннотация: Исследованы закономерности эффекта накопления в свинцово-силикатных стеклах в условиях облучения, когда многофотонное возбуждение и окрашивание надежно регистрируются экспериментально (по изменению пропускания и образованию треков центров окраски). Установлено, что снижение порога разрушения при многократном облучении стекол в этих условиях связано с увеличением роли тепловой самофокусировки вследствие накопления центров окраски и увеличения показателя поглощения среды. Развитая теоретическая модель позволила объяснить не только форму кривых накопления, но и влияние диаметра пятна и эффективности генерации центров окраски на пороги однократного и многократного пробоя, а также влияние примесных ионов переменной валентности на характеристики процесса.

PACS: 61.80.Ba, 42.70.Ce, 61.72.Ji

Поступила в редакцию: 01.01.1996


 Англоязычная версия: Quantum Electronics, 1996, 26:8, 710–717

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024