RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1987, том 14, номер 3, страницы 536–545 (Mi qe7628)

Эволюция периодической структуры на поверхности полупроводника при лазерном воздействии

В. В. Капаев


Аннотация: Теоретически исследована эволюция формы гофра, образующегося на поверхности германия и кремния при лазерном воздействии. Показано, что учет электродинамической нелинейности приводит к выходу из режима экспоненциального роста периодической структуры (ПС) и к ограничению глубины гофра на поверхности. С ростом энергии в лазерном импульсе и числа импульсов спектр ПС уширяется, а период, для которого глубина гофра максимальна, сдвигается по отношению к значению, соответствующему резонансу поверхностного плазмона. Форма ПС искажается за счет проявления структуры с периодом, вдвое меньшим исходного. Близость полученных в работе максимальных значений глубины гофра к экспериментально наблюдающимся позволяет сделать вывод об определяющей роли электродинамической нелинейности в формировании ПС при лазерном облучении германия и кремния.

УДК: 621.373.826:621.794

PACS: 61.80.Ba, 61.82.Fk, 68.35.Bs

Поступила в редакцию: 20.01.1986


 Англоязычная версия: Soviet Journal of Quantum Electronics, 1987, 17:3, 333–338

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024