Всесоюзный научно-исследовательский центр по изучению свойств поверхности и вакуума, Москва
Аннотация:
Реализован импульсно-периодический режим работы многоэлементных полупроводниковых лазеров на основе кристаллов ZnO, ZnSe, CdS, GaAs. При комнатной температуре активного элемента, частоте следования импульсов
50 Гц и длительности импульсов 8 нс впервые достигнуты следующие значения средних мощностей излучения; 25 мВт (ZnO), 22 мВт (ZnSe), 125 мВт (CdS), 90 мВт (GaAs). Заменой активного элемента достигается дискретная перестройка длины волны генерации. Указанные параметры реализованы с помощью малогабаритного переносного источника накачки.
УДК:
621.373.826.038.825.4
PACS:42.55.Px, 42.70.Nq, 42.60.Jf
Поступила в редакцию: 05.05.1986 Исправленный вариант: 24.09.1986