Механические напряжения в AlGaAs/GaAs-гетеролазерах с квантово-размерными слоями

Проведен сравнительный анализ механических напряжений в AlGaAs/GaAs-гетеролазерах с квантово-размерными нелегированными слоями, вызванных разнообразными причинами: различием коэффициентов температурного расширения, поглощением излучения на дислокации, стоком носителей к дислокации и оттоком тепла от активной области диода к хладопроводу. Показано, что остаточные напряжения доминируют над всеми остальными.