RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1996, том 23, номер 9, страницы 771–772 (Mi qe770)

Эта публикация цитируется в 8 статьях

Письма в редакцию

Лазерное выделение высокообогащенного иттербия-168 в весовых количествах

В. И. Держиев, В. А. Кузнецов, Л. А. Михальцов, В. М. Мушта, А. Ю. Сапожков, A. Н. Ткачев, С. А. Чаушанский, С. И. Яковленко

Институт общей физики им. А. М. Прохорова РАН, г. Москва

Аннотация: Создана установка, способная производить высокообогащенный 168Yb в промышленных масштабах. В лазерной плазме содержание 168Yb достигало 80 — 95%, на коллекторе ионов — до 65%.

PACS: 28.60.+s, 42.62.Cf

Поступила в редакцию: 01.01.1996


 Англоязычная версия: Quantum Electronics, 1996, 26:9, 751–752

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024