RUS
ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ
// Квантовая электроника
// Архив
Квантовая электроника,
1996
, том 23,
номер 9,
страницы
771–772
(Mi qe770)
Эта публикация цитируется в
8
статьях
Письма в редакцию
Лазерное выделение высокообогащенного иттербия-168 в весовых количествах
В. И. Держиев
,
В. А. Кузнецов
,
Л. А. Михальцов
,
В. М. Мушта
,
А. Ю. Сапожков
,
A. Н. Ткачев
,
С. А. Чаушанский
,
С. И. Яковленко
Институт общей физики им. А. М. Прохорова РАН, г. Москва
Аннотация:
Создана установка, способная производить высокообогащенный
168
Yb в промышленных масштабах. В лазерной плазме содержание
168
Yb достигало 80 — 95%, на коллекторе ионов — до 65%.
PACS:
28.60.+s
,
42.62.Cf
Поступила в редакцию:
01.01.1996
Полный текст:
PDF файл (138 kB)
Список цитирования
Англоязычная версия:
Quantum Electronics, 1996,
26
:9,
751–752
Реферативные базы данных:
©
МИАН
, 2024