А. А. Каминский, А. В. Буташин, С. Н. Багаев, “Новый лазерный кристалл BaLu2F8:Nd3+”, Квантовая электроника, 23:9 (1996), 773

Эта публикация цитируется в 1 статье

Письма в редакцию

Новый лазерный кристалл BaLu₂F₈:Nd³⁺

А. А. Каминский^a, А. В. Буташин^a, С. Н. Багаев^b

^a Институт кристаллографии им. А. В. Шубникова РАН, г. Москва
^b Институт лазерной физики СО РАН, г. Новосибирск

Аннотация: Создан новый лазерный кристалл BaLu₂F₈:Nd³⁺ с низкопороговой импульсной генерацией (канал ⁴F_3/2 → ⁴I_11/2) при 300 К и ламповой накачке. Предварительно изучены его спектрально-люминесцентные характеристики и возбуждение низкопороговой генерации на двух межштарковских переходах генерационного канала ⁴F_3/2 → ⁴I_11/2 ионов Nd³⁺.

PACS: 42.70.Hj, 42.55.Rz

Поступила в редакцию: 01.01.1996