Самофокусировка и вынужденное рассеяние пикосекундных импульсов в активной среде инжекционного лазера

Впервые наблюдались самофокусировка и вынужденное рассеяние пикосекундных импульсов в активной среде многосекционного AlGaAs/GaAs-гетеролазера с модифицированной модуляцией добротности. Обнаружено, что при превышении мощности импульсов некоторого критического значения распределение интенсивности на торце лазера разбивается на две нити размерами около 2 мкм. В коротковолновой части оптического спектра цуга пикосекундных импульсов наблюдались эквидистантные компоненты с расстоянием 56 ± 6 см ^– 1 (7.0 ± 0.7 мэВ), что может быть обусловлено взаимодействием УКИ с поперечными акустическими фононами или акустическими плазмонами в GaAs.