Тепловой режим мощных монолитных линеек инжекционных лазеров

Проанализирована динамика тепловых профилей в полупроводниковых монолитных линейках инжекционных GaAs/AlGaAs-лазеров на длине волны 810 нм в квазинепрерывном и непрерывном режимах генерации при различных параметрах накачки в зависимости от конструкции теплоотвода. Для монолитных линеек с удельной выходной мощностью 50 Вт/см и полным КПД 30%, смонтированных на теплоотводе из BeO, получено увеличение температуры активной области лазера на 45°С при длительности импульса 1 мс. На основе расчетной модели описаны экспериментальные зависимости выходных параметров линеек от режимов накачки и получены данные для конструирования двумерных матриц накачки.