RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1989, том 16, номер 1, страницы 159–161 (Mi qe7727)

Применение лазеров и другие вопросы квантовой электроники

Повышение отражательной способности оксида бериллия в среднем ИК диапазоне

A. E. Белянко, Ю. А. Быковский, А. И. Карапузиков, Н. И. Липатов, B. В. Саханова

Институт общей физики АН СССР, Москва

Аннотация: Рассмотрена возможность увеличения отражательной способности материалов на основе ВеО в среднем ИК диапазоне. Показано, что нанесение пленки Ge толщиной 0,8 мкм на монокристалл ВеО позволяет получить коэффициент отражения 0,992 при λ = 10,6 мкм. При нанесении пленок Ge толщиной d ≥ 0,3 мкм на керамику ВеО верхняя граница области существования поверхностных поляритонов сдвигается в низкочастотную область спектра, устраняя тем самым их возбуждение излучением CO2-лазеров и приближая коэффициент отражения керамики к отражению от монокристаллического ВеО.

УДК: 535.312

PACS: 42.55.Rz, 42.70.Hj, 78.20.Ci, 42.79.Wc, 73.20.Mf

Поступила в редакцию: 26.05.1988


 Англоязычная версия: Soviet Journal of Quantum Electronics, 1989, 19:1, 104–106

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024