Изменение дифракционной эффективности решетчатых структур, сформированных в тонких пленках халькогенидных стеклообразных полупроводников, под действием нейтронного облучения

Исследовано влияние достаточно больших потоков нейтронов на свойства дифракционных решетчатых структур, сформированных в тонких пленках халькогенидных стеклообразных полупроводников системы As–S. Обнаружена существенная зависимость характера изменения дифракционной эффективности и чувствительности материала от состава пленок. Найден способ значительного увеличения дифракционной эффективности и чувствительности для ряда составов при их облучении.