В. П. Дураев, Е. Т. Неделин, А. В. Мельников, М. А. Сумароков, В. А. Шишкин, “Низкопороговые лазеры с длиной волны излучения 1.02 мкм на основе InGaP/InGaAsP”, Квантовая электроника, 23:9 (1996), 785

Лазеры

Низкопороговые лазеры с длиной волны излучения 1.02 мкм на основе InGaP/InGaAsP

В. П. Дураев, Е. Т. Неделин, А. В. Мельников, М. А. Сумароков, В. А. Шишкин

ЗАО "Нолатех" (Новая Лазерная Техника), г. Москва

Аннотация: Сообщается о создании инжекционных лазеров на основе квантоворазмерных структур InGaP/InGaAsP c длиной волны излучения 1.02 мкм. Благодаря слабой температурной зависимости порогового тока (характеристическая температура T₀ = 180 К) эти лазеры не требуют применения cхем охлаждения и поддержания мощности излучения в процессе эксплуатации, что повышает надежность и снижает их себестоимость.

PACS: 42.55.Px, 42.60.Lh

Поступила в редакцию: 01.01.1996