Спектроскопия и генерационные характеристики кристаллов BaEr2F8:Tm+Ho

Проведена аттестация полос накачки кристаллов BaEr₂F₈:Tm+Ho по их вкладу в возбуждение лазерного уровня ⁵I₇ (Ho) и тепловыделение. Исследованы вопросы устойчивости кросс-релаксационной схемы преобразования поглощенной энергии в BaEr₂F₈:Tm+Ho при изменении концентрации активатора Ho в пределах 0,5–1,5 %. Показано, что для режима свободной генерации из исследованных кристаллов наилучшим является BaEr₂F₈:Tm (5%) + Ho (0,5%).