RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1989, том 16, номер 2, страницы 281–289 (Mi qe7796)

Эта публикация цитируется в 1 статье

Управление параметрами лазерного излучения

Сжатие параметрически усиливаемых импульсов при ультракороткой интенсивности адиабатической накачке

Б. В. Крыжановский


Аннотация: С учетом группового запаздывания без предположения о слабости возбуждающего поля решена задача о нестационарном четырех волновом параметрическом взаимодействии в двухуровневой среде. Показано, что на фоне медленно меняющейся огибающей слабого сигнала в процессе его усиления появляется мощный узкий пик, длительность которого $\tau_c$ значительно меньше длительности накачки $\tau_H$. Минимально возможное $\tau_c$, достигаемое при надлежащем выборе угла входа и частоты затравки, в случае большой интенсивности накачки ($|\Omega_m|\gg\tau^{-1}_H$) определяется величиной $|\tau_H/\Omega_m|^{1/2}$, где $\Omega_m$ – пиковый штарковский сдвиг резонансной частоты.

УДК: 621.373.826

PACS: 42.65.Re, 42.65.Yj, 42.50.Hz, 42.65.Hw

Поступила в редакцию: 09.07.1987


 Англоязычная версия: Soviet Journal of Quantum Electronics, 1989, 19:2, 185–190

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024