О связи частотной девиации полупроводниковых лазеров при прямой модуляции с дифференциальными электрическими характеристиками инжектирующего p-n-перехода

Дано простое соотношение между остаточным дифференциальным сопротивлением инжектирующего p-n-перехода полупроводникового лазера и частотной девиацией его излучения при прямой токовой модуляции. Экспериментальные исследования лазеров на основе GaAs/AlGaAs показали удовлетворительное согласие с предложенной моделью.