RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1989, том 16, номер 3, страницы 513–517 (Mi qe7850)

Эта публикация цитируется в 5 статьях

Физические процессы в лазерах

Усиление УФ излучения на межконфигурационном переходе 5d – 4f иона Ce3+ в BaY2F8

А. А. Каминскийab, С. А. Кочубейab, К. Н. Наумочкинab, Е. В. Пестряковab, В. И. Труновab, Т. В. Увароваab

a Институт теплофизики СО АН СССР, Новосибирск
b Институт кристаллографии АН СССР, Москва

Аннотация: Исследованы спектрально-люминесцентные свойства иона Ce3+ в кристалле BaY2F8 и получено усиление когерентного излучения (λ = 0,345 мкм) на межконфигурационном переходе 5d 14f n – 1–4f n при возбуждении его излучением XeCl-лазера (λ = 0,308 мкм).

УДК: 621.373.826:535.373

PACS: 78.55.Hx, 78.40.Ha, 78.45.+h, 42.50.Gy, 42.50.Hz

Поступила в редакцию: 04.06.1988


 Англоязычная версия: Soviet Journal of Quantum Electronics, 1989, 19:3, 340–342

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024