RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1989, том 16, номер 3, страницы 538–545 (Mi qe7855)

Эта публикация цитируется в 1 статье

Воздействие лазерного излучения на вещество. Лазерная плазма

Численный расчет характеристик рекомбинационной накачки в низкотемпературной плазме

А. В. Боровский, В. В. Коробкин, Л. Я. Полонский, Л. Н. Пятницкий, М. И. Увалиев

Институт общей физики АН СССР, Москва

Аннотация: Рассмотрены процессы рекомбинации в многозарядной полностью ионизованной оптически тонкой плазме. В рамках метода стационарного стока проведен численный расчет коэффициентов усиления, нерезонансного поглощения, рекомбинации, тепловыделения в электронном газе как функций электронной температуры, концентрации и заряда ядра иона. Предложен ряд новых аппроксимаций. Впервые очерчена область применимости расчетов.

УДК: 621.373.826:533.9

PACS: 52.25.Jm, 52.25.Kn, 52.25.Tx

Поступила в редакцию: 26.11.1987


 Англоязычная версия: Soviet Journal of Quantum Electronics, 1989, 19:3, 356–361

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024